氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙半导体，其正在众种电力电子操纵中的操纵正正在无间拉长。这是因为这种质料的出格功能，正在功率密度、耐高温和正在高开合频率下做事方面优于硅 (Si)。
恒久今后，正在电力电子周围占主导名望的硅险些已抵达其物理极限，从而将电子商酌转向或许供给更大功率密度和更好能源出力的质料。GaN 的带隙 (3.4 eV) 大约是硅 (1.1 eV) 的 3 倍，供给更高的临界电场，同时低重介电常数，从而低重 R DS( on)正在给定的阻断电压下。与硅比拟（正在更大水平上，与碳化硅 [SiC]）比拟，GaN 的热导率更低（约为 1.3 W/cmK，而正在 300K 时为 1.5 W/cmK），需求谨慎策画结构和恰当的斥地出或许有用散热的封装技能。通过用 GaN 晶体管替代硅基器件，工程师能够策画出更小、更轻、能量吃亏更少且本钱更低的电子体例。
受汽车、电信、云体例、电压转换器、电动汽车等操纵周围对日益高效的处理计划的需求的鞭策，基于 GaN 的功率器件的墟市占据率正正在快速拉长。正在本文中，咱们将先容 GaN 的少许操纵，这些操纵不但代外了技能寻事，并且最首要的是，代外了放大墟市的新兴时机。
1月5日晚，江西省上饶市万年县邦民政府与上海格晶半导体有限公司进行了协作签约典礼。
典礼上，万年县政府副县长张东与格晶半导体董事长白俊春等出席，并就氮化镓第三代半导体物业化项目举行了签约。
上海格晶半导体有限公司的氮化镓第三代半导体物业化项目总投资达25亿元，产物要紧客户有华为海思、小米、VIVO、OPPO等手机厂商，和中兴通信****、CETC军用雷达、吉祥汽车疾充等。项目投产后可竣工年产5万片8寸GaN功率器件，处理700人就业，成为江西省第一家，中邦第二家量产氮化镓车载功率器件的晶圆厂。同时，该项目标落地，将助力万年县物业组织调治，补充万年县半导体周围高端成立业空缺。
3月2日，SweGaN官网通告，他们正正在瑞典林雪平的更始质料集群摆设一个新总部，囊括一个大范畴的半导体坐褥步骤。据悉，SweGaN是一家为电信、卫星、邦防和电力电子操纵成立定制的碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC) 外延晶圆（基于特殊的孕育技能）的公司。
报道称，该项目盘算于本年第二季度末竣事，将陈设更始成立工艺，以大宗量坐褥下一代 GaN-on-SiC 工程外延晶圆，估计年产能将高达4万片4/6英寸外延片。
并且，2022年9月，该扩产项目就一经得到1200 万欧元（约8300万邦民币） A 轮融资的支柱，以满意5G****、邦防雷达、低轨道卫星通讯和电动汽车车载充电器要紧供应商的墟市需求。
别的，2022年7月，SweGaN还得到了一次投资，获投金额与本次融资金额左近（约8216万元邦民币），资金将用于放大员工数目，并摆设新的坐褥线。
SweGaN于2022年示意，估计几年后，公司年生意额将从2021年的1700万瑞典克朗扩展到2亿瑞典克朗（约1.3亿元邦民币），营收目的做到“数十亿”。
3月6日，“嘉兴城南”官微发文称，博康(嘉兴)半导体总投资约6亿元的氮化镓射频功率芯片先导线项目正式开工，该项目占地面积46667平方米，此中一期用地约33200平方米。此中一期用地约33200平方米。该项目对准第三代半导体新质料周围，集产物研发、坐褥、出售等效力为一体。
此次落户的博康半导体产物将笼罩电信根蒂步骤、射频能源及各种通用墟市的操纵，为5G挪动通信****、宽频带通讯等射频周围供给半导体产物及处理计划。
公然原料显示，博康（嘉兴）半导体建树于2022年10月，公司主生意务囊括半导体分立器件成立、出售及效劳等。
并且，3月3日，嘉兴市民众资源交往中央揭晓招标通告称，博康（嘉兴）半导体年产3000片氮化镓射频功率芯片先导线项目策画对外采购施工总承包，招标估算价约为1.9亿元。
依照通告，博康的氮化镓项目位于浙江嘉兴经开区，总工期历时一年把握，将新筑工业厂房30543平米，并引进光刻机、磁控溅射机等兴办约100台套用于坐褥邦内技能领先的通讯用氮化镓射频芯片先导线片PP电子。
3月13日，济宁邦度高新技能物业斥地区公示了山东加睿晶欣年产10万片2英寸氮化镓单晶衬底项目环评外。
该GaN项目于2019年3月开工摆设，总投资15亿元，总筑立面积10.1万平米，摆设涵盖坐褥车间、研发中央、检测等全系列物业链的准绳化园区。
依照通告，该项目一期将置办晶体孕育炉、大型众线切割机、自愿倒角机等优秀兴办266台（套），酿成长晶、切割、掷光、激光剥离等全链条坐褥线万片。
4月26日，江西中科半导体官网揭晓了他们摆设的“第三代半导体氮化镓质料物业化项目（一期）环评第二次公示”。
依照环评呈文，该项目（一期）位于江西吉安井冈山经开区，项目投资金额为 2 亿元，占地面积约50亩，将新筑厂房及附庸配套步骤约3万平方米，筑成后酿成年产 1.5 万片硅衬底氮化镓外延片质料。
此中，6英寸硅衬底氮化镓外延片质料的计议年产能为 10000 片，8 英寸硅衬底氮化镓外延片质料的计议年产能为 5000 片。
除该项目外，吉安中科还正在江西赣州摆设了氮化镓项目——2021年8月，吉安中科的全资子公司深圳中科摆设的“氮化镓外延片质料和氮化镓单晶衬底质料的研发坐褥项目”正式签约落户于赣州经开区，总投资金额为2亿元。
4月27日下昼，合肥光电半导体物业技能商酌院启动典礼日前正在合肥高新区进行。
启动典礼上，面向AR成像与显示一体单片集成器件策画、自决智能无人体例、超低介电常数与超低吃亏B5G/6G毫米波质料、氮化镓HEMT功率器件的研发及物业化、面向储能和充电桩周围的GaN高功率器件操纵、微米光刻兴办及其焦点曝光器件的研发与物业化、有机微米LED工艺及兴办研发与物业化、光伏发电真空玻璃等八个项目举行了会合签约。
别的，合肥光电半导体物业技能商酌院宽禁带半导体技能测验室、特种封测技能测验室、光电制备与检测技能测验室、智能光机电技能测验室、微波与红外技能测验室等五个测验室也正式建树。
合肥光电半导体物业技能商酌院（合肥复熵光电科技有限公司）注册建树于2022年12月，由沈学础院士、迟力峰院士领衔组筑，依托复旦大学讯息学院和中科院上海技能物理商酌所的研发团队，打制“物业更始型”新型研发机构。正在2023年2月进行的“科大硅谷”焦点区二期开园三期开工暨项目会合签约典礼上，合肥光电半导体物业技能商酌院等9家科创平台项目代外举行了会合签约。
6月26日上午，由西安电子科技大学广州商酌院与新加坡IC Carrier Technologies Pte Ltd（简称ICCT）协作共筑的“氮化镓器件和集成电道优秀封装技能商酌中央”，正在广东-新加坡协作理事会第十三次集会上告成签约。
本次集会正在新加坡乌节大客栈召开，广东省省长王伟中，驻新加坡大使孙海燕，广州市委常委、黄埔区委书记、广州斥地区管委会主任陈杰，新加坡卫生部部长王乙康，新加坡交易及工业部，文明、社区及青年部部长陈圣辉等率领参与集会并致辞。商酌院党委书记刘丰雷、院长助理吕鹏以及广州第三代半导体更始中央实施主任刘志宏参与集会。集会上，刘丰雷代外西电广研院与新加坡ICCT缔结共筑答应。
西电广研院与ICCT将合伙打制邦际一流第三代半导体优秀封装技能研发平台、中试平台、物业协调平台和高主意人才教育基地。
氮化镓器件和集成电道优秀封装技能商酌中央的建树，是西电广研院发达结构的首要战术步骤，是“产学研”协作邦际化的初次冲破，西电广研院正在效劳湾区电子讯息物业发达的道道上又迈出了坚实的一步，西电广研院将联袂ICCT合伙为广东省及粤港澳大湾区社会经济高质地发达作进献。
据悉，ICCT由Yew Chee Kiang（杨志强）博士于2013年建树于新加坡，是一家竭力于供给半导体封装质料和封装技能效劳的中小型企业。技能团队要紧由来自全邦著名半导体企业如德州仪器、宇芯半导体、英飞凌、住矿等的行业资深专业工程师构成，技能团队丰裕的行业体会使本公司更理解客户需求，可认为客户供给更众主意、更高效、更低本钱的处理计划。公司客户寻常分散于全邦各地，囊括美邦德州仪器（Texas Instruments），欧洲恩智浦（NXP）、意法半导体，日本Rohm（罗姆）、爱普生（Epson）、住友（Sumitomo）、精工（Seiko），马来西亚宇芯、密特（Metek），中邦大陆洛科质料，台湾Cirtek等著名半导体公司。
创始人Yew Chee Kiang（杨志强）博士卒业于英邦思克莱德（University of Strathclyde）大学，正在半导体封装周围耕种众年，体会丰裕。曾任AdvanPack Solutions Pte Ltd（新加坡）技能总监兼欧洲区域墟市总监，主理研发半导体封装技能与新客户斥地。
6月29日，珠海市工业和讯息化局颁布了2023年“创客广东”珠海市中小企业更始创业大赛初赛评审结果，此中入围的囊括一个GaN项目。
依照通告，珠海方唯成半导体主导的“氮化镓自支柱衬底项目”告成入围复赛。目前该项目还未披露更众讯息，“大家说三代半”将一连跟进该项目转机，敬请合怀。
企查查显示，方唯成半导体建树于2022年4月，为珠海经济特区方源有限公司的控股子公司（持股比例85%）。
“大家说三代半”创造，本年5月，方源公司还对外新增投资滨州镓元新质料有限公司（持股比例 20%）。镓元新质料旗下有一个金属镓项目——
镓元新质料已租用汇宏新质料的40亩土地，投资1.5亿元摆设氧化铝原矿提取镓元素项目。目前该项目已落户，达产后将年产120吨金属镓。
7月3日，印度科学商酌所(IISc) 正正在摆设 GaN 中央项目，为此订购了牛津仪器的全套等离子体处会意决计划——囊括原子层蚀刻 (ALE)、电感耦合等离子体 (ICP) 蚀刻模块、等离子体巩固化学气相重积 (PECVD)。
据悉，这套氮化镓等离子体加工处理计划将用于斥地下一代GaN-on-Si 和 GaN-on-SiC 高功率和高频功率电子器件和射频器件，以供给更好的出力和功能。
7月6日，据台媒动静，台湾省经济部今天通告，将斥资28亿新台币（约6.48亿邦民币）投资一家晶圆代工场，正在新竹科学园区增设氮化镓器件及砷化镓器件自愿化产线。
据悉，该晶圆代工场具备成熟的硅基半导体代工体会，并竭力于拓荒化合物半导体物业的新结构，但目前未披露该代工场的更众讯息。
别的，该GaN与GaAs的产线摆设，还将正在厂衡宇顶装配太阳能板，有用提拔绿电运用比例，慢慢落实减碳排。
东科半导体项目：总投资12.25亿，年产1亿只超高频AC/DC电源管束芯片，5000万只GaN电源模组
据悉，此次加入运用的新厂区占地52亩，新筑厂房5.1万平方米，要紧从事氮化镓超高频AC/DC电源管束芯片、氮化镓操纵模组封装线的研发、坐褥和出售。一共达产后，估计可竣工年出售收入10亿元。
据“大家说三代半”此前报道，该项目于2020年10月会合开工，总投资为12.25亿元，要紧摆设准绳GMP干净厂房、办公楼、研发楼等，新增2条GaN超高频AC/DC电源管束芯片封装线条GaN操纵模组封装线亿只超高频AC/DC电源管束芯片，5000万只GaN电源模组。
2021年6月，该GaN项目的准化厂房一期1栋厂房第一区段主体组织封顶。
德州人才发达集团揭晓动静称，7月17日下昼，第三代半导体氮化镓及碳化硅芯片策画与成立项目落地会叙会正在德州（北京）协同更始中央告成举办。
北京博神微电子科技有限公司董事长兼总司理林福荣等4位公司担负人和技能专家，天衢新区投资鼓舞部副部长党英鹏，天衢新区高端设备物业招商局副局长孙东江参与会叙，德州人才发达集团副总司理戴元滨跟随并主理，中央担负同志插手对接。
集会上，北京博神微电子董事长林福荣先容了企业大概，并重心先容了第三代半导体氮化镓及碳化硅芯片策画与成立项目标焦点角逐力、产物墟市拓展情景，以及他日正在德州落地的盘算和需求。
最终，天衢新区和博神微电子缠绕鞭策项目疾速落地举行了深刻的疏通和洽叙，告竣开头协作意向。
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